东芝半导体与存储器社（Toshiba Semiconductor＆Storage Products）社长小林清治在10日的事业说明会上，宣布今后将在功率半导体事业投入更多资源，预计数年内要抢下全球市占率第1名王位。目前该公司功率半导体市占率为业界第3。

东芝的第1个动作，就是引进新的元件结构，以打造高效能产品。例如在高耐压MOSFET方面，东芝将利用单磊晶（single epi）构造的超接面（Super-junction）技术，可降低漏电电流，借此获得更高的电源效率。而为因应高频元件需求，导入碳化矽（SiC）及氮化镓（GaN）等新材料的功率半导体也正在开发当中。

小林表示，东芝的策略是以最少额的设备投资，达到最大生产效率，因此决定把四日市工厂的8吋晶圆生产线制造设备调度到加贺工厂，挪作生产功率半导体之用。设备重新分配之后，8吋晶圆产量至2013年将达到全部功率半导体产量的80％。另一方面，加贺工厂生产线会预估2012年前就会达到满载，东芝会视必要性决定是否再建新厂房。

关于其他降低成本的具体对策，东芝表示，由于功率半导体的封装测试成本偏高，占整体生产过程费用40％，故提高委外代工比重将是基本方针，2012年的委外比例预计上80％，到2013年则会来到90％。

此外，东芝将原本制造系统单晶片（SoC）的大分工厂重新定位，转为生产CMOS。特别是为平板电脑及智慧型手机设计的背照式（Back Side Illuminated；BSI）CMOS感光元件，具有高感度与高速度之特色，未来将成为大分工厂的主要生产品项。

东芝还打算针对获利率较低的系统大规模集成电路（LSI）进行瘦身，2010年东芝把50％产量下放给三星电子（Samsung Electronics），这个比例至2013年预计会扩大到80％以上。